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Influence of the growth method on the photoluminescence spectra and electronic properties of CuInS2 single crystals

机译:生长方法对CuInS2单晶的光致发光光谱和电子性能的影响

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摘要

A comparative analysis of free and bound excitons in the photoluminescence (PL) spectra of CuInS2 single crystals grown by the traveling heater (THM) and the chemical vapor transport (CVT) methods is presented. The values of the binding energy of the A free exciton (18.5 and 19.7 meV), determined by measurements of the spectral positions of the ground and excited states, allowed the Bohr radii (3.8 and 3.7 nm), bandgaps (1.5536 and 1.5548 eV) and dielectric constants (10.2 and 9.9) to be calculated for CuInS2 crystals grown by THM and CVT, respectively.
机译:提出了通过行进加热器(THM)和化学气相传输(CVT)方法生长的CuInS2单晶的光致发光(PL)光谱中的游离和束缚激子的比较分析。通过测量基态和激发态的光谱位置确定的自由A激子的结合能值(18.5和19.7 meV)允许玻尔半径(3.8和3.7 nm),带隙(1.5536和1.5548 eV) THM和CVT分别生长的CuInS2晶体的介电​​常数(10.2和9.9)。

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